我區(qū)一半導體企業(yè)實現氧化鎵單晶技術突破

日前，位于蕭山區(qū)經濟技術開發(fā)區(qū)的杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）在氧化鎵晶體生長方面實現新的技術突破，基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備（非銥坩堝），采用垂直布里奇曼法（VB）成功生長出2英寸氧化鎵單晶，在國內尚屬首次。

國際領先的氧化鎵襯底制造商正在迅速采用VB法這一創(chuàng)新技術。該技術不使用貴金屬銥坩堝，無需考慮坩堝的氧化損耗，與常見使用銥坩堝的生長方法相比，成本最高可降低至1/50，且可采用空氣氣氛生長單晶，能夠有效抑制氧化鎵的高溫分解，減少因坩堝腐蝕晶體中的夾雜物等缺陷，提升晶體質量。

自2022年9月成立以來，鎵仁半導體便以科技實力在寬禁帶半導體材料領域嶄露頭角。作為一家集研發(fā)、生產、銷售于一體的高新技術企業(yè)，鎵仁半導體專注于氧化鎵襯底、外延、設備的發(fā)展，致力于推動半導體技術的革新。

此次重大突破，不僅成功打破了西方國家在氧化鎵設備、材料領域的技術封鎖，并且為相關產業(yè)需求提供了有力支撐。接下來，鎵仁半導體將不斷致力于在氧化鎵產業(yè)鏈中持續(xù)創(chuàng)新，為我國半導體產業(yè)的發(fā)展提供堅實的產品保障。