浙大科創(chuàng)中心成功制備2英寸氧化鎵晶圓

圖片由浙大科創(chuàng)中心提供

日前，記者了解到，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院采用全新的熔體法技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓，使用這種具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)生長的2英寸氧化鎵晶圓在國際尚屬首次。

面對傳統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展瓶頸，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心首席科學(xué)家楊德仁院士領(lǐng)導(dǎo)的氧化鎵團隊發(fā)明了全新的熔體法技術(shù)路線來研制氧化鎵體塊單晶以及晶圓。“這塊如同鏡片一樣薄薄的一片，就是剛研制出來的氧化鎵晶圓，市場價高達數(shù)萬元，對高性能功率器件研發(fā)有著重要價值?！眻F隊人員介紹。

研發(fā)團隊張輝教授說，使用新技術(shù)路線生長的氧化鎵晶圓有兩個顯著優(yōu)勢，一是使用這種方法生長出的氧化鎵晶圓的晶面具有特異性，使得制作的功率器件具有較好的性能；二是由于采用了熔體法新路線，減少了貴金屬銥的使用，使得氧化鎵生長過程不僅更簡單可控，成本也更低，具有更大的產(chǎn)業(yè)化前景。

“每克銥的價格高達上千元，可以說是比黃金更珍貴的貴金屬。但主流方法生長氧化鎵晶體使用的盛放熔體的坩堝，是由貴金屬銥制成的，因此過去一直難以降低晶體成本。”張輝說，經(jīng)檢測，浙大杭州科創(chuàng)中心采用新技術(shù)路線研制出的這批氧化鎵晶圓的導(dǎo)電類型為半絕緣型，光學(xué)透過率良好，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)已達領(lǐng)域內(nèi)的先進水平。

科研人員表示，下一步，他們計劃在2年內(nèi)制造出直徑4英寸級別的大尺寸氧化鎵晶圓，進一步助力國內(nèi)氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。